MOS管品种:MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），首要有两种结构方法：N沟道型和P沟道型；又依据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，有必要再加必定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因而，MOS管能够被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4品种型产品。MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态规模大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通讯电源等高频电源范畴得到了越来越遍及的运用。
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表明为“G”）、Source源极（表明为“S”）、Drain漏极（表明为“D”）。接线时，关于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法根本相同。
从结构图可发现，N沟道型场效应管的源极和漏极接在N型半导体上，而P沟道型场效应管的源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管输出电流由输入的电压（或称场电压）操控，其输入的电流极小或没有电流输入，使得该器材有很高的输入阻抗，这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。
在MOS管的作业原理中能够看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于SiO2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS发生电场然后导致源极-漏极电流的发生。此刻的栅极电压VGS决议了漏极电流的巨细，操控栅极电压VGS的巨细就能够操控漏极电流ID的巨细。
导通的含义是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，VGS大于必定的值就会导通，适用于源极接地时的状况（低端驱动），只需栅极电压到达4V或10V就能够了。PMOS的特性是，VGS小于必定的值就会导通，适用于源极接VCC时的状况（高端驱动）。
不管是NMOS仍是PMOS，导通后都有导通电阻存在，电流就会被电阻耗费能量，这部分耗费的能量叫做导通损耗。小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧至几十毫欧左右，挑选导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
MOS管在进行导通和截止时，两头的电压有一个下降进程，流过的电流有一个上升的进程，在这段时刻内，MOS管的丢失是电压和电流的乘积，这称之为开关丢失。一般开关丢失比导通丢失大得多，并且开关频率越快，丢失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积越大，构成的丢失也就越大。缩短开关时刻，能够减小每次导通时的丢失；下降开关频率，能够减小单位时刻内的开关次数。这两种方法都能够减小开关丢失。
跟双极性晶体管比较，MOS管需求GS电压高于必定的值才干导通，并且还要求较快的导通速度。在MOS管的结构中能够看到，在GS、GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，理论上便是对电容的充放电。
对电容的充电需求一个电流，由于对电容充电瞬间能够把电容当作短路，所以瞬间电流会比较大。挑选/规划MOS管驱动时第一个要留心的是可提供瞬间短路电流的巨细；第二个要留心的是，遍及用于高端驱动的NMOS，导通时需求栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极导通电压要比VCC高4V或10V，并且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
三极管全称为半导体三极管，它的首要作用便是将细小的信号间断扩大。MOS管与三极管有着许多附近的当地，也有许多不同之处。
首先是开关速度的不同。三极管作业时，两个PN结都会感应出电荷，当开关管处于导通状况时，三极管处于饱满状况，假定这时三极管到，PN结感应的电荷要康复到平衡状况，这个进程需求时刻。而MOS由于作业方法不同，不需求康复时刻，因而能够用作高速开关管。
其次是操控方法不同。MOS管是电压操控元件，而三级管是电流操控元件。在只答应从信号源取较少电流的状况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又答应从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。
接着是载流子品种数量不同。电力电子技术中提及的单极器材是指只靠一种载流子导电的器材，双极器材是指靠两种载流子导电的器材。MOS管只运用了一种大都载流子导电，所以也称为单极型器材；而三极管是既有大都载流子，也运用少量载流子导电；是为双极型器材。
第三是灵活性不同。有些MOS管的源极和漏极能够交换运用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。
第四是集成才能不同。MOS管能在很小电流和很低电压的条件下作业，并且它的制造工艺能够很方便地把许多MOS管集成在一块硅片上，因而MOS管在大规模集成电路中得到了遍及的运用。
第五是输入阻抗和噪声才能不同。MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等长处，被遍及运用于各种电子设备中，特别用MOS管做整个电子设备的输入级，能够获得一般三极管很难到达的功能。
最终是功耗损耗不同。平等状况下，选用MOS管时，功耗损耗低；而选用三极管时，功耗损耗要高出许多。
当然，在运用本钱上，MOS管要高于三极管，因而依据两种元件的特性，MOS管常用于高频高速电路、大电流场所，以及对基极或漏极操控电流比较灵敏的中心区域；而三极管则用于低本钱场所，达不到作用时才会考虑替换选用MOS管。
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器材，兼有MOSFET的高输入阻抗和功率晶体管（GTR）的低导通压降两方面的长处。
GTR饱满压下降，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT归纳了以上两种器材的长处，驱动功率小而饱满压下降。
常见的IGBT又分为单管和模块两种，单管的外观和MOS管有点相像，常见生产厂家有富士电机、仙童半导体等，模块产品一般为内部封装了数个单个IGBT，由内部联接成合适的电路。
由于IGBT原理为先注册MOS管，再驱动三极管注册，该原理决议了IGBT的开关速度比MOS管慢，但比三极管快。制造本钱上，IGBT要比MOS管高许多，这是由于IGBT的制造多了薄片反面离子注入、薄片低温退火（如激光退火）工序，而这两个工序都需求专门针对薄片工艺的贵重机台。
在低压下，低压MOS管的导通压降一般都操控在0.5V以下（根本不会超越1V的），比方IR4110低压MOS管，其内阻为4mΩ，给它100A的导通电流，导通压降是0.4V左右。
电流导通压下降，意味着导通损耗小，一起兼具开关损耗小的特性，因而，IGBT相对MOS管在电功能没有优势，加上在性价比上MOS管更具优势，所以根本上看不到低压IGBT。
MOS管的最大下风是跟着耐压升高，内阻敏捷增大，所以高压下内阻很大，致使MOS管不能做大功率运用。
在高压范畴，MOS管的开关速度仍是最快的，但高压下MOS管的导通压降很大（内阻随耐压升高而敏捷升高），即便是耐压600V的COOLMOS管，导通电阻可高达几欧姆，致使耐流很小。
而IGBT在高耐压下，导通压降简直没显着增大（IGBT的导通电流经过三极管处理），所以高压下IGBT优势显着，既有高开关速度，又有三极管的大电流特性；别的，在新一代IGBT产品中，开关速度高（纳秒级），导通压降、开关损耗等也有了长足进步，使得IGBT耐脉冲电流冲击力更强，且耐压高、驱动功率小等长处愈加杰出。
在需求耐压超越150V的运用条件下，MOS管现已根本没有优势。以典型的IRFS4115与第四代IGBT型SKW30N60比照中，在150V、20A接连工况下运转，前者开关损耗为6mJ/pulse，而后者只要1.15mJ/pulse，缺乏前者的1/5；若用极限作业条件，二者功率负荷相差将更悬殊。
现在，比如冶金、钢铁、高速铁路、船只等有大功率需求的范畴已较少见到MOS管，而是广泛运用IGBT元器材。
总的来说，IGBT更适用于高压、大电流、低频率（20KHZ左右）场所，电压越高，IGBT越有优势，在600v以上，IGBT的优势十分显着；而MOSFET更适用于低电压、小电流、低频率（几十KHz~几MHz）范畴，电压越低，MOS管越有优势。
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